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Product Roundup

ブレークダウン電圧が950Vの低オン抵抗パワーMOSFET

[issued: 2009年7月号]

STx7N95K3ファミリ


 スイスSTMicroelectronics社は、ブレークダウン電圧が950VのnチャンネルパワーMOSFET「STx7N95K3ファミリ」を発表した。オン抵抗は1.35Ωで、デバイスサイズ当たりのオン抵抗を同社従来品に比べて30%低減したことになるという。液晶モニターやテレビなどにおける電源の用途に向ける。すでに量産出荷を開始しており、1000個購入時の単価は約2.00米ドル。TO-220FPの「STF7N95K3」、TO-220の「STP7N95K3」、TO-247の「STW7N95K3」といったパッケージオプション品が用意されている。3品種とも、ゲート‐ソース間電圧は±30Vで、25℃におけるドレイン電流(連続電流)は7.2A。動作温度範囲は−55〜150℃。

 STx7N95K3ファミリでは、ゲート電荷と内部キャパシタンスを低下させることで、スイッチング性能を改善した。そのため、従来よりも高いスイッチング周波数を使用することが可能となり、コンデンサやインダクタといった部品の小型化も見込める。

連絡先:STマイクロエレクトロニクス APMグループ、03-5783-8250

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