韓国Samsung Electronics社は、組み込み型メモリーカード「moviNAND」の32Gバイト版を出荷する。同社の30nmプロセス技術で生産した32GビットのNAND型フラッシュメモリー…

2009年5月14日 [Misc.] [ビジネス戦略]

[メモリー] [Samsung] [NAND] [フラッシュ] [カード] [32Gビット] [JEDEC] [32Gバイト]

米Integrated Device Technology（IDT）社は2008年7月、DDR3（double data rate 3）メモリーモジュール向けのレジスタードクロックドライバ「SSTE…

2008年7月30日 [ロジック] [メモリー] [Misc.]

[モジュール] [メモリー] [IDT] [レジスタ] [DDR3] [クロックドライバ] [JEDEC] [SSTE32882HL]

ワシントンD.C.巡回区控訴裁判所は2008年4月、米Rambus社がDRAM製品に関して反トラスト法に違反しているとの米連邦取引委員会（FTC：Federal Trade Commission）の…

2008年4月25日 [Misc.] [ビジネス戦略]

[DRAM] [ライセンス] [Rambus] [違反] [差し止め] [SDRAM] [反トラスト法] [JEDEC] [米連邦取引委員会] [FTC] [巡回区控訴裁判所] [審理] [裁判] [判決] [ロイヤリティ]

DDR技術を用いたDRAMは、パソコンやサーバー機器などのメインメモリーとして広く利用されている。現時点では、DDR2が市場の過半を占めているが、次世代に当たるDDR3への移行も進んでいる。本稿では、DDR3のメモリーインターフェース規格の概要を紹介した上で、そのシグナルインテグリティ性能の高さや消費電力の少なさといった特徴から得られるメリットについて解説する。

2009年9月号 [メモリー]

[レジスタ] [DDR3] [SDRAM] [JEDEC] [DIMM] [registered] [フライバイトポロジ] [ダイナミックODT] [VLP]

SSTE32882HL

2008年9月号 [ロジック]

[モジュール] [メモリー] [IDT] [レジスタ] [DDR3] [クロックドライバ] [JEDEC] [SSTE32882HL]