NECとNECエレクトロニクスは2009年6月、微細化に適したMRAM（磁気抵抗メモリー）を開発、動作実証を完了したと発表した。同社は、システムLSIに集積するMRAMの実用化を目指し、研究開発に取…

2009年6月23日 [メモリー] [Misc.]

[MRAM] [組み込み] [システム] [LSI] [MTJ] [NECエレ] [垂直] [磁壁] [スピントルク]

米IBM社とTDKは2007年8月、スピン注入磁化反転法を適用した次世代大容量MRAMの共同研究開発を開始したと発表した。　IBMはこれまで、MRAMメモリー技術開発、MTJ（Magnetic Tu…

2007年8月21日 [半導体製造]

[MRAM] [メモリー] [TDK] [車載] [IBM] [スピン注入磁化反転法] [MTJ]

エンタープライズ分野のJava開発ではすでにデファクトスタンダードとなった「Eclipse」。ソフトウエア開発を包括的にサポートするこの開発プラットフォームは、組み込みソフトウエアにも対応すべく着々と進化を続けている。本稿では、Eclipseの組み込みソフト開発向けプロジェクト「DSDP」の現状を概観するとともに、組み込みソフト開発において同プロジェクトが果たすであろう役割について解説する。

2007年10月号 [ソフトウェア/設計環境] [組み込み]

[組み込み] [MTJ] [Eclipse] [プロジェクト] [DSDP] [DD] [TM] [NAB] [TmL] [eRCP]

ルネサス テクノロジは、スピン注入磁化反転書き込み方式を用いたMRAM（magneto-resistive random access memory）を、米Grandis社と共同で開発すると発表した…

2006年2月号

[MRAM] [MTJ] [米Grandis社] [磁気トンネル接合] [スピン注入磁化反転] [ルネサス テクノロジ] [Magneto-resistive Random Access Memory]

NECとNECエレクトロニクスは2009年6月、微細化に適したMRAM（磁気抵抗メモリー）を開発、動作実証を完了したと発表した。両社は以前から、システムLSIに集積するMRAMの実用化を目指し、研究…

2009年8月号 [メモリー]

[MRAM] [組み込み] [LSI] [NEC] [MTJ] [NECエレクトロニクス] [スピントルク] [垂直磁壁]